十大热门关注开关电源(I)

开关电源一直是电子工业中非常流行的技术，其发展趋势是我们必须时刻关注的问题，否则将无法跟上技术发展的步伐。开关电源厂家利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制控制IC和MOSFET构成。24V开关电源是高频逆变开关电源中的一个种类。什么是24V开关电源 24V开关电源就是用通过电路控制开关管进行高速的导通与截止.将交流电提供给变压器进行变压转化为高频率的交流电。12V开关电源主要检查300V上的大滤波 电容 、整流桥各 二极管 及开关管等部位，抗干扰电路出问题也会导致保险烧、发黑。需要注意的是：因开关管击穿导致保险烧一般会把电流检测 电阻 和电源控制芯片烧坏。负温度系数热敏电阻也很容易和保险一起被烧坏。 笔者对开关电源技术的发展重点做了调查，以下十大热点。

兴趣点：将功率半导体器件的性能

　　1998年，Infineon公司可以推出冷mos管，它采用“超级结”（Super-Junction）结构，故又称超结功率MOSFET。工作进行电压600V～800V，通态电阻之间几乎降低了企业一个数据数量级，仍保持控制开关具有速度快的特点，是一种有发展中国前途的高频信号功率以及半导体行业电子技术器件。

当IGBT刚出现时，电压，额定电流只有600V，25A。的很长一段时间，压力水平被限制在1200V?1700V，经过长期研究和提高勘探现在IGBT的电压，额定电流达到了3300V / 1200A和4500V / 1800A，压力已经达到了一个单片高压IGBT 6500V，工作频率的上限通常为20kHz的IGBT?40kHz的，通过新的技术生产的应用（PT）型IGBT结构为主，它可以在150kHz的（硬切换）和300kHz的（软切换）工作。

　　IGBT的技术研究进展情况实际上是通态压降，快速进行开关和高耐压问题能力分析三者的折中。随着中国工艺和结构设计形式的不同，IGBT在20年历史文化发展社会进程中，有以下通过几种主要类型：穿通（PT）型、非穿通（NPT）型、软穿通（SPT）型、沟漕型和电场数据截止（FS）型。

碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料。 其优点是：带隙宽，工作温度高（可达600℃），热稳定性好，导通电阻小，导热性能好，漏电流最小，PN结电压电阻高。 有利于制备耐高温的高频大功率半导体电子元件。

预计碳化硅将成为21世纪最有可能成功应用的新型功率半导体器件材料。

两个问题：开关电源密度

　　提高工作开关电源的功率密度，使之小型化、轻量化，是人们通过不断发展努力学习追求的目标。电源的高频化是国际社会电力企业电子界研究的热点问题之一。电源的小型化、减轻重量对便携式电子技术设备（如移动网络电话，数字经济相机等）尤为具有重要。使开关电源小型化的具体管理办法有：

首先，高频率。为了实现高的功率密度的功率时，PWM变换器的工作频率必须提高，从而降低了在电路中的能量存储元件的体积的重量。

　　二是企业应用具有压电变压器。应用压电变压器可使高频信号功率变换器可以实现轻、小、薄和高功率密度。压电变压器主要利用压电陶瓷复合材料以及特有的“电压-振动”变换和“振动-电压”变换的性质传送能量，其等效电路设计如同我们一个串并联谐振电路，是功率变换不同领域的研究社会热点问题之一。

三，新电容器的使用。