开关电源的设计，使用时BJT

MOSFET已经是是开关控制电源管理领域的绝对重要主力主要器件。24V开关电源是高频逆变开关电源中的一个种类。什么是24V开关电源 24V开关电源就是用通过电路控制开关管进行高速的导通与截止.将交流电提供给变压器进行变压转化为高频率的交流电。开关电源厂家利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制控制IC和MOSFET构成。12V开关电源主要检查300V上的大滤波 电容 、整流桥各 二极管 及开关管等部位，抗干扰电路出问题也会导致保险烧、发黑。需要注意的是：因开关管击穿导致保险烧一般会把电流检测 电阻 和电源控制芯片烧坏。负温度系数热敏电阻也很容易和保险一起被烧坏。但在进行一些问题实例中，与MOSFET相比，双极性不同结式晶体管 (BJT) 可能我们仍然还是会有存在一定的优势。特别是在离线系统电源中，成本和高电压(大于 1kV)是使用BJT而非MOSFET的两大部分理由。

对于低功率(3W及以下)反激功率，难以击败BJT。 成本.批量购买时，A13003NPN晶体管可低至0.03$。 一个设备不仅处理700VVCE，而且数百毫安电流可以驱动，没有太多的基本流量。 使用的增益和功耗可能限制了低功耗应用的实际使用。 在这些低功耗标准下，MOSFET和BJT之间的效率差异是非常微妙的。 下面的图1比较了两个类似的5V/1W设计的效率。 第一种设计是“230VAC输入，5.5V/250mA非隔离反激变换器”MOSFET，使用另一种设计是“120VAC输入，5V/200mA反激变换器”BJT。 这并不是一个公平的比较，因为这两个源被设计成在不同的输入电压下工作，但它显示了它们的效率是多么的相似。

一些新的控制器实际上是设计来驱动 bjt，以提供最低成本的解决方案。 在大多数情况下，带外部 bjt 的控制器比带集成 mosfet 的控制器便宜。 在使用双极晶体管控制器设计时，必须注意确保双极晶体管的基极驱动和增益足以提供必要的变压器峰值电流。

在略微更高的功率水平，效率差FET和BJT由于不良的开关特性BJT下降更加明显。但是，输入电压100-240VAC比典型的家庭和商业应用的电压范围较高，BJT可能仍然有优势。工业实用性功率计的两个例子的情况下，它们可能需要更高的输入电压。经济实惠的MOSFET只能千伏以下使用。在某些应用中，功率计，电源电压可能超过480VACrms。整流后，将超过680Vdc的电压。对于三相输入，这个数字可能会更高。电源开关和需要承受此电压与输出反射峰的漏极电压。在这些应用中，MOSFET可能根本不能作为一种选择，所以BJT已成为最简单，成本最低的解决方案。

我们自己之前讨论过，当功率级提高到 3W 以上时，BJT 中的开关控制损失以及可能他们就会发展成为社会大问题。使用网络级联连接来进行驱动 BJT 可以有效缓解企业这一重要问题。下图 2(摘自 PMP7040)是级联系统连接的工作实际情况。BJT (Q1) 的基极连接至 VCC 电轨，同时发射极被拉低用以学生打开开关。在 UCC28610 内部，一个具有低电压 MOSFET 将 DRV 引脚拉低，并由国家一个公司内部产生电流感应来安排相关峰值开关动作电流。由内部 MOSFET 实现经济快速关断，因为这是它与其他外部高电压 BJT 串联。